¡Síguenos!De acuerdo con la Ley de Moore, cada dos años se duplica el número de transistores en un microprocesador y ello aumenta la exigencia de una mayor capacidad de procesamiento en los ordenadores. Sin embargo, existen límites físicos que no permiten fabricar computadoras con capacidades que tiendan hacia el infinito. Es así como actualmente se promueve el desarrollo de tecnología basada en la manipulación de la luz como medio de transferencia de información, por ejemplo fibras y lectores ópticos.
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Uno de los retos es la fabricación de materiales con capacidad de procesamiento basado en luz, tal es el caso del silicio poroso (SiP). Antonio Méndez Blas, investigador del Instituto de Física “Ing. Luis Rivera Terrazas” de la BUAP (IFUAP), explicó que por sí mismo el silicio es un semiconductor con características ópticas muy pobres.
Además, en ciertas regiones de las paredes de los poros se lleva a cabo el fenómeno de confinamiento cuántico, lo cual hace que el SiP sea fotoluminiscente.
En este proceso se utiliza el grabado electroquímico, el cual consiste en un ataque con ácido fluorhídrico y corriente eléctrica para generar iones que perforan ciertas regiones del silicio cuando éste se sumerge en la solución. Este proceso es controlable, porque sólo se activa cuando se pasa corriente eléctrica. Una vez terminado, se rescata la muestra porosa. La combinación del silicio que quedó con el aire o el material que se introduzca en los orificios le dará propiedades ópticas específicas.
Como resultado de este trabajo existe una solicitud de registro de patente ante el Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial (IMPI): “Método de desprendimiento de capas autosostenidas de silicio poroso”, número MX/A/2011/013393.
